Пошук

ХарактеристикиВиробник INFINEON TECHNOLOGIESТип транзистора N-MOSFETТехнологія HEXFET®Поляризація польовийНапруга стік-джерело 55ВСтрум стоку 80АПотужність розсіювання 200ВтНапруга затвор-джерело ±20ВОпір у стані провідності 8мОмМонтаж THTЗаряд затво..